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专利摘要显示，本发明公开了一种基于激光打孔背向引线的MEMS四电极电导率传感器及其制备方法，包括LCP基底以及设置于LCP基底正面的四电极圆环结构，所述四电极圆环结构从基板中心向外依次包括第一电流电极、第一电压电极、第二电压电极和第二电流电极；各电极的非电场敏感区通过激光打孔形成贯穿LCP基底的微通孔；铂丝从LCP基底背面穿入微通孔，底端通过覆盖在LCP基底背面微通孔区域的导电材料烧结固定，顶端与各电极的金属层形成低阻电气连接。该传感器采用优化电场约束的四电极结构，创新应用激光打孔‑铂丝穿引‑铂浆烧结工艺，实现正面打孔、背面引线封装，可直接作为标准表贴器件安装，提升测量性能、环境适应性和集成便利性。
